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NCE40P80K TO-252-2L NCE P沟道超级沟槽功率MOSFET

NCE40P80K TO-252-2L NCE P沟道超级沟槽功率MOSFET

描述NCEP40P80K采用超级沟槽技术经过独特优化,可提供效的频率切换性能。传导和由于RDS(ON)和Qg的低组合。此设备非常适合高频开关和同步整流。

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  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 深南中路3018号都会轩2413
品牌:NCE型号:NCE40P80K封装:TO-252-2L
批号:NEW

描述


NCEP40P80K采用超级沟槽技术


经过独特优化,可提供效的


频率切换性能。传导和


由于


RDS(ON)和Qg的低组合。此设备非常适合


高频开关和同步整流。


一般功能


VDS=-40V,ID=-80A


RDS(ON)=5.6m? (典型)@VGS=-10V


RDS(ON)=7.6m? (典型)@VGS=-4.5V


***的栅极电荷x RDS(on)产品(FOM)


导通电阻极低RDS(接通)


175°C工作温度


无铅电镀


 ***UIS测试


应用


 DC/DC转换器


 适用于高频开关和同步


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