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NCE60P82A 新洁能TO-220 NCE P沟道增强型功率MOSFET

NCE60P82A 新洁能TO-220 NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述NCE60P82A采用***的沟槽技术设计提供低栅极电荷的***RDS(ON)该器件非常适合高电流负载应用。

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    广东 深圳 福田区 深南中路3018号都会轩2413
品牌:NCE型号:NCE60P82A封装:TO-220
批号:NEW

描述


NCE60P82A采用***的沟槽技术


设计提供低栅极电荷的***RDS(ON)


该器件非常适合高电流负载应用。


一般功能


VDS=-60V,ID=-82A


RDS(ON)<13m? @ VGS=-10V


RDS(ON)<16m? @ VGS=-4.5V


***Rdson的高密度电池设计


完全表征雪崩电压和电流


 稳定性和均匀性好,EAS高


***封装,散热良好


应用


 负载开关


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