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NCE30P20Q DFN3.3*3.3-8L 新洁能NCE P沟道增强型功率MOSFET
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NCE30P20Q DFN3.3*3.3-8L 新洁能NCE P沟道增强型功率MOSFET

产品标签  | NCE30P20Q P-MOS NCE新洁能

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NCE30P20Q DFN3.3*3.3-8L 新洁能NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述NCE30P20Q采用***的沟槽技术优异的RDS（ON）、低栅极电荷。此设备适用于用作负载开关或在PWM应用中。

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      广东 深圳 福田区 深南中路3018号都会轩2413
    详细信息
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    品牌：NCE型号：NCE30P20Q封装：DFN3.3*3.3-8L
    批号：NEW

    描述


    NCE30P20Q采用***的沟槽技术


    优异的RDS（ON）、低栅极电荷。此设备适用于


    用作负载开关或在PWM应用中。


    一般功能


    VDS=-30V，ID=-20A


    RDS（ON）<25m? @ VGS=-4.5V


    RDS（ON）<15m? @ VGS=-10V


     高功率和电流处理能力


     获得无铅产品


    表面贴装封装


    应用


     PWM应用


     负载开关


     电源管理


     


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