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NCE0117K TO-252-2L 新洁能NCE N沟道增强型功率MOSFET
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NCE0117K TO-252-2L 新洁能NCE N沟道增强型功率MOSFET

产品标签  | NCE0117K P-MOS NCE新洁能

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NCE0117K TO-252-2L 新洁能NCE N沟道增强型功率MOSFET

描述NCE0117K采用***的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。它可以在各种各样的应用中使用。

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      广东 深圳 福田区 深南中路3018号都会轩2413
    详细信息
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    品牌：NCE型号：NCE0117K封装：TO-252-2L
    批号：NEW

    描述


    NCE0117K采用***的沟槽技术


    设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。它


    可以在各种各样的应用中使用。


    一般功能


     VDS=100V，ID=17A


    RDS（开启）<70m? @ VGS=10V（型号：56m?)


    RDS（ON）<85米? @ VGS=4.5V（型号：65m?)


     ***Rdson的高密度电池设计


     完全表征雪崩电压和电流


     稳定性和均匀性好，EAS高


     ***封装，散热良好


     具有高ESD能力的特殊工艺技术


    应用


     电源切换应用


     硬开关和高频电路


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