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NCE01P05S SOP8 NCE P沟道增强型功率MOSFET

NCE01P05S SOP8 NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述NCE01P05S采用***的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS(ON)。它可以可用于各种各样的应用中。ESD对此表示抗议。

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    广东 深圳 福田区 深南中路3018号都会轩2413
品牌:NCE型号:NCE01P05S封装:SOP-8
批号:NEW

描述


NCE01P05S采用***的沟槽技术


设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS(ON)。它可以


可用于各种各样的应用中。ESD对此表示抗议。


一般功能


 VDS=-100V,ID=-***


RDS(ON)<100m? @ VGS=-10V(型号:85m?)


RDS(ON)<120m? @ VGS=-10V(型号:95m?)


 超高密度电池设计


 ***的沟槽工艺技术


 可靠且坚固


 ***导通电阻的高密度电池设计


应用


 电源开关


 DC/DC转换器


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