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NCE2333Y SOT-23 新洁能P沟道增强型功率MOSFET

NCE2333Y SOT-23 新洁能P沟道增强型功率MOSFET

描述NCE2333Y采用***的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和带栅极的操作电压低至2.5V。该设备适用于负载开关或PWM应用中。

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品牌：NCE	型号：NCE2333Y	封装：SOT-23
批号：NEW

描述

NCE2333Y采用***的沟槽技术提供

优异的RDS（ON）、低栅极电荷和带栅极的操作

电压低至2.5V。该设备适用于

负载开关或PWM应用中。

一般功能

VDS=-12V，ID=-6A

RDS（ON）<45m?（值）@VGS=-2.5V

RDS（ON）<30m?（值）@VGS=-4.5V

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面贴装封装

应用

PWM应用

负载开关

电源管理

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